本发明涉及在液体冷却的电池组中的冷却剂损失检测和矫正。汽车电池模块,其具有一个或多个电池单元和与冷却剂合作的冷却剂损失检测和矫正系统,该系统配置成提供电池模块的热管理。电池模块中或周围的冷却剂水平可以被检测,当与控制器合作时允许检测到冷却剂泄漏的事件中的矫正动作。控制器感测冷却剂水平传感器,其位于冷却剂贮存器中以确定何时冷却剂水平下降到预定水平以下。当冷却剂水平被确定是低的时候,控制器报告低水平条件并且采取矫正动作。控制器还具有一组使能条件,其必须在控制器感测冷却剂水平传感器之前被满足。
一种系统包括内燃机和热耦合到内燃机并由第一泵循环的第一冷却剂。该系统还包括电部件和热耦合到电部件并且由第二泵循环的第二冷却剂。该系统还包括第一热交换器,其在第一冷却剂与第二冷却剂之间传递热能；以及,辅助流体流,具有低于电部件的目标操作温度的温度。该系统还包括第二热交换器,第二热交换器在第二冷却剂与辅助流体流之间传递热能。
本发明提供一种用于对电动车辆和车辆进行热管理的方法。控制器被配置成在车辆运行时,将牵引电池的温度调节到运行温度范围内。当电池连接到充电器和电源并且周围温度超出环境温度范围时,电池的温度被调节到充电温度范围内。当周围温度超出环境温度范围并且电池被连接到充电器和电源时,电池被预先调节到电池驱动温度。当车辆连接到充电器和电源并且周围温度超出环境温度范围时,车辆中的驾驶室被预先调节到驾驶室温度。
提供一种设备,其包括至少一个电子构件。该设备还包括封闭至少一个电子构件的封壳。封壳包括由膜片限定的至少一个壁。该设备进一步包括压电促动器,压电促动器在第一端处固定且在第二端处刚性地附连到膜片上。对压电促动器应用交流电会产生膜片的脉动式机械变形。
一种电池系统,包括设置在壳体内的多块电化学电池。电池系统还包括被设置用于向电化学电池提供加热或冷却中至少一者的热管理系统。热管理系统包括固态涂层,其中具有第一金属和不同于第一金属的第二金属。固态涂层被设置用于输送电流从中流过以建立跨越固态涂层第一表面和固态涂层第二表面的温差从而向电池提供加热或冷却中的至少一者。
本发明涉及扬声器磁体热管理。在一种实施方式中,公开了包括磁体单元的移动设备,该磁体单元热耦合到该移动设备的壳体的该散热器部分。该移动设备包括具有磁体单元的扬声器驱动器、具有散热器部分的壳体、和热组件,该散热器部分由具有高热传导性的材料制成。该散热器部分具有耦合到该扬声器驱动器的第一面和暴露于该移动设备的外部的第二面。该热组件将该扬声器驱动器接合到该散热器部分的该第一面以创建从该磁体单元至该移动设备的该外部的冷却路径。还说明了其它实施方式。
一种通过分析从电源接收的信号而检测驱动LED的电源的类型的电路。该电路基于所确定的类型控制LED的行为,诸如对调光器或热条件的反应。另一实施例基于引入的功率信号中检测到的占空比而调暗LED。一种热管理电路,检测LED的功率,获得LED的热工作范围并据此产生控制信号。
一种光生成系统包括：多个固态发射器(SSE)和用于控制SSE的光谱稳定性的稳定性控制系统。在特定情况下,稳定性控制系统可包括：功率调节器,用于调节供应到多个SSE子集的功率；连接到功率调节器以对SSE子集提供恒流的恒流电路；连接到恒流电路的电流调节设定点；以及被构造成基于与SSE的状态相关的计量设定调节设定点的控制器。
为射频设备提供热管理的装置。提供了一种天线,该天线包括：天线主体,配置成传送电信号；以及耦合至该天线主体的一个或更多个安装表面,该一个或更多个安装表面被配置成安装至设备表面,从而该设备表面与该天线主体之间的合成热阻(Rth)小于15°C 瓦特。该天线主体形成PIFA天线、鞭状天线、贴片天线、或蜿蜒型贴片天线之一。
本发明涉及电池组热管理系统和方法。一种电池组热管理系统包括连接到至少一个DC电力总线的复数个电池单元。至少一个热电装置操作地布置成与复数个电池单元热接触。至少一个温度测量装置操作地连接到热管理系统且被配置成测量复数个电池单元的预定部分的温度。单元平衡电路操作地连接到复数个电池单元且被配置成将自复数个电池单元中至少一个的电流的一部分选择性地转移到至少一个热电装置。电子控制器操作地连接到单元平衡电路且被配置成控制到至少一个热电装置的电流的流动。
提供具有独特配置的照明系统(10)。例如,该照明系统可包括光源(12)、热管理系统(14)和驱动器电子器件(16),每个包含在壳体结构(32)内。光源配置成提供通过壳体结构中的开口可见的照亮。热管理系统配置成通过壳体结构提供空气流,例如单向空气流(70),以便冷却光源。驱动器电子器件配置成向光源和热管理系统中的每个提供功率。
一种形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构,形成键合半导体结构的方法包括：提供包括器件结构的第一半导体结构；在低于大约400℃的温度下将第二半导体结构键合到第一半导体结构；通过第二半导体结构进入第一半导体结构形成贯通晶片互连；以及在与第一半导体结构的相反侧将第三半导体结构键合到第二半导体结构。在另外的实施例中,提供第一半导体结构。将离子注入到第二半导体结构中。第二半导体结构仍然键合到第一半导体结构。使第二半导体结构沿离子注入平面断裂,至少部分通过第一和第二半导体结构形成贯通晶片互连,在与第一半导体结构相反侧将第三半导体结构键合到第二半导体结构。键合半导体结构是使用这种方法形成的。
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