发明公开：形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构

一种形成键合半导体结构的方法,包括：提供包括至少一个器件结构的第一半导体结构；在低于大约400℃的温度下将第二半导体结构键合到所述第一半导体结构；通过所述第二半导体结构进入所述第一半导体结构并且达到所述至少一个器件结构形成至少一个贯通晶片互连；以及在所述第二半导体结构与所述第一半导体结构的相反的那一侧将所述第二半导体结构键合到第三半导体结构。