本发明涉及基板支撑组件及导热基底。基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底,该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括多个热区与多个热隔离器,该多个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸,其中该多个热隔离器中的每一个提供导热基底的上表面处的多个热区中的两个之间的近似热隔离。
本文中提供了多基板热管理设备的实施例。在一些实施例中,多基板热管理设备包括：多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方；多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个；供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板；以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。
描述了切割半导体晶片的方法及设备,每一晶片具有多个集成电路。在示例中,切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模,该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基板载体具有背侧。该方法也涉及在等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑基板载体的背侧的至少一部分。该方法也涉及冷却基板载体的基本上全部的背侧,该冷却涉及由夹盘冷却基板载体的背侧的至少第一部分。该方法也涉及在执行冷却基板载体的基本上全部的背侧的同时经由划道等离子体蚀刻基板以切单集成电路。
基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底,该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括数个热区与数个热隔离器,该数个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸,其中该数个热隔离器中的每一个提供导热基底的上表面处的数个热区中的两个之间的近似热隔离。
工件保持器包括定位盘,该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的,且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口,该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口具有断热器深度及断热器半径,该断热器深度延伸穿过该定位盘厚度的至少一半,该断热器半径为该定位盘半径的至少一半。一种处理晶片的方法,包括以下步骤：以第一处理处理该晶片,该第一处理提供第一中心至边缘处理变化,且随后,以第二处理处理该晶片,该第二处理提供实质补偿该第一中心至边缘处理的第二中心至边缘处理变化。
本发明涉及基板支撑组件及导热基底。基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底,该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括多个热区与多个热隔离器,该多个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸,其中该多个热隔离器中的每一个提供导热基底的上表面处的多个热区中的两个之间的近似热隔离。
一种工件固持器,包括：定位盘；第一及第二加热装置,与该定位盘的相应的内及外部分热连通；及热沉,与该定位盘热连通。该第一及第二加热装置可独立控制,且与该热沉与该定位盘的热连通相比,该第一及第二加热装置与该定位盘处于更大的热连通。一种控制工件的温度分布的方法,包括以下步骤：使热交换流体流过热沉,以对定位盘建立参考温度；通过启动安置为与该定位盘的径向内及外部分热连通的相应第一及第二加热装置,将该定位盘的径向内及外部分的温度升高至大于该参考温度的第一及第二温度；及将该工件放置在该定位盘上。
描述了切割半导体晶片的方法及设备,每一晶片具有多个集成电路。在示例中,切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模,该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基板载体具有背侧。该方法也涉及在等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑基板载体的背侧的至少一部分。该方法也涉及冷却基板载体的基本上全部的背侧,该冷却涉及由夹盘冷却基板载体的背侧的至少第一部分。该方法也涉及在执行冷却基板载体的基本上全部的背侧的同时经由划道等离子体蚀刻基板以切单集成电路。
本文中提供了多基板热管理设备的实施例。在一些实施例中,多基板热管理设备包括：多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方；多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个；供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板；以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。
描述了用于划切半导体晶片的方法和设备,其中,每一个晶片具有多个集成电路。在示例中,等离子体蚀刻腔室包括设置在等离子体蚀刻腔室的上部区域中的等离子体源。等离子体蚀刻腔室也包括设置在等离子体源下方的阴极组件。阴极组件包括用于支撑基板载体的背侧的内侧部分的冷却RF供电的卡盘。阴极组件也包括冷却RF隔离的支撑件,所述Rf隔离的支撑件围绕所述RF供电的卡盘但与所述RF供电的卡盘隔离。所述RF隔离的支撑件用于支撑基板载体的背侧的外侧部分。
基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底,该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括数个热区与数个热隔离器,该数个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸,其中该数个热隔离器中的每一个提供导热基底的上表面处的数个热区中的两个之间的近似热隔离。
在此提供用以处理半导体的设备。在一些实施例中,一种用以处理基板的设备可包括：第一环,该第一环环绕基板支撑件而同心地设置,该第一环设以在处理期间将基板定位在该基板支撑件上；及第二环,该第二环设置在该基板支撑件与该第一环之间,该第二环设以提供从该第一环到该基板支撑件的热传路径。
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