#应用材料公司
#R·C·南古伊
描述了用于划切半导体晶片的方法和设备,其中,每一个晶片具有多个集成电路。在示例中,等离子体蚀刻腔室包括设置在等离子体蚀刻腔室的上部区域中的等离子体源。等离子体蚀刻腔室也包括设置在等离子体源下方的阴极组件。阴极组件包括用于支撑基板载体的背侧的内侧部分的冷却RF供电的卡盘。阴极组件也包括冷却RF隔离的支撑件,所述Rf隔离的支撑件围绕所述RF供电的卡盘但与所述RF供电的卡盘隔离。所述RF隔离的支撑件用于支撑基板载体的背侧的外侧部分。
一种等离子体蚀刻腔室,包括:等离子体源,所述等离子体源设置在所述等离子体蚀刻腔室的上部区域中;以及阴极组件,所述阴极组件设置在所述等离子体源下方,所述阴极组件包括:冷却RF供电的卡盘,所述冷却RF供电的卡盘用于支撑基板载体的背侧的内侧部分;以及冷却RF隔离的支撑件,所述冷却RF隔离的支撑件围绕所述RF供电的卡盘但与所述RF供电的卡盘隔离,所述RF隔离的支撑件用于支撑所述基板载体的所述背侧的外侧部分。
附件:用于等离子体划切期间的划切带热管理的冷却轴架
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类型:发明公开
发明人:R·C·南古伊
专利权人:应用材料公司
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