本发明公开了一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法,其原理是基于芯片温度和对应热源区材料特征拉曼谱峰值波数的关系变化,利用洛伦兹函数对材料的特征谱峰值进行拟合,提升其峰值处的拉曼光谱波数分辨率,近而达到提高对应温度测试精度的目的。本发明解决了拉曼光谱法测试芯片结温时光谱波数分辨率不足的问题,提升了结温测试精度,满足功率芯片对温度标定的高精度需求,对器件热管理的技术开发和寿命评估研究有极大的指导意义。
本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法,包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定厚度的半导体薄膜材料热导率精确表征问题,提升了测试精度和降低了测试成本,满足半导体器件对厚度在百纳米到十微米之间薄膜材料热性能的研究需求,对提升器件热管理的技术开发有极大的指导意义。
本发明公开了一种基于红外热成像法的薄膜热导率分析方法,其原理是通过设计构建待测薄膜的微桥热传输结构,基于红外热成像技术实现对温度分布的测试,再利用热仿真去拟合测试的温度分布,近而实现被测薄膜的热导率的提取。本发明解决了特定厚度的薄膜材料热导率精确表征问题,并降低了测试成本,实现了对厚度在百纳米到十微米之间薄膜材料热性能的研究需求。
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