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发明公开:一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法

[公开日期] 2019-03-01 [公开号] CN109405995A
#中国电子科技集团公司第五十五研究所 #郭怀新 #黄语恒 #陈堂胜
本发明公开了一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法,其原理是基于芯片温度和对应热源区材料特征拉曼谱峰值波数的关系变化,利用洛伦兹函数对材料的特征谱峰值进行拟合,提升其峰值处的拉曼光谱波数分辨率,近而达到提高对应温度测试精度的目的。本发明解决了拉曼光谱法测试芯片结温时光谱波数分辨率不足的问题,提升了结温测试精度,满足功率芯片对温度标定的高精度需求,对器件热管理的技术开发和寿命评估研究有极大的指导意义。

1.一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法,其特征在于,包括以下步骤:1)针对测试芯片,利用拉曼光谱法开展热源区材料的温度对应的材料特征谱峰测试;2)将特征谱峰进行洛伦兹函数拟合处理,拟合其谱峰值位置处的波数,并进行其拉曼特征谱峰值波数随温度变化量的标定;3)利用拉曼光谱法,对芯片工作状态下热源区材料的特征谱峰进行测试;4)将该特征谱峰进行洛伦兹函数拟合处理,拟合其谱峰值位置处的波数,结合其谱峰值波数随温度的变化量进行结温计算。
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类型:发明公开
发明人:郭怀新,黄语恒,陈堂胜
专利权人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
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