本申请案涉及包含垂直集成电路的半导体组合件及其制造方法。在一些实施例中,所述半导体组合件包括安装于逻辑装置之上的至少一个存储器装置及安置于所述存储器装置与所述逻辑装置之间的导热层、热绝缘体中介层或其组合。所述导热层包含经配置以跨水平平面传递热能的结构。所述热绝缘体中介层包含经配置以减少所述逻辑装置与所述存储器装置之间的热传递的结构。
本申请案涉及具有增强型热管理的半导体装置封装及相关系统。一种半导体装置封装包括：载体衬底,其具有中心阱；逻辑裸片,其面对并以可操作方式耦合到所述载体衬底的TSV；及一或多个存储器裸片,其位于所述阱中且接近所述逻辑裸片的面对所述载体衬底的表面而以可操作方式耦合到所述逻辑裸片。还揭示一种电子系统。
本发明提供一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含：半导体裸片堆叠,其位于衬底上方,所述衬底包含多个电接触件；及环形下部盖子,其安置在所述衬底上方且包围所述半导体裸片堆叠。所述环形下部盖子包含耦合到所述衬底的下表面、耦合到上部盖子的上表面及其中形成开口的外表面。所述半导体装置组合件进一步包含安置在所述开口中且电耦合到所述多个电接触件中的至少第一者的电路元件。所述半导体装置组合件进一步包含安置在所述环形下部盖子及所述半导体裸片堆叠上方的所述上部盖子。
用于并入半导体装置组合件的半导体装置封装可包含衬底,所述衬底包含定位在所述衬底的下表面上的导电元件的阵列。窗可从所述衬底的所述下表面到所述衬底的上表面延伸穿过所述衬底。所述导电元件的阵列可至少部分侧向围绕所述窗的周边,且所述衬底可侧向延伸超过所述导电元件的阵列。半导体装置可围绕所述导电元件的阵列的周边支撑在所述衬底的所述上表面上。所述半导体装置可通过从所述半导体装置朝向所述窗的延伸的布线元件而电连接到所述阵列的至少一些所述导电元件。
本发明揭示一种半导体裸片组合件,其包括在堆栈中的多个半导体裸片。另一半导体裸片邻近于所述堆栈并且具有一区域,所述区域可包括外围延伸越出所述堆栈的相对较高功率密度区域。传导元件在所述堆栈中的半导体裸片的和所述另一半导体裸片的集成电路之间延伸并且电互连所述堆栈中的半导体裸片与所述另一半导体裸片的集成电路。热柱插入于所述堆栈的半导体裸片之间,并且例如盖等热量耗散结构与所述堆栈的最上裸片及所述另一半导体裸片的所述高功率密度区域接触。还揭示其它裸片组合件、半导体装置及管理半导体裸片组合件内的热量传送的方法。
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