发明公开：基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法

1.一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法,其特征在于,包括以下步骤：步骤1,设计待测薄膜的试样测试区的微桥结构,并基于光刻、蒸发、等离子体刻蚀技术进行样品制备；步骤2,对待测薄膜材料开展特定温度下拉曼光谱测试,进行峰值#温度偏移系数标定；步骤3,对待测薄膜的表面电极施加特定功率,测试微桥结构的中心区域拉曼谱峰值的偏移量；步骤4,依据标定的峰值#温度偏移系数,计算微桥结构中心区域的温度分布；步骤5,进行待测薄膜热传递的热分布仿真,结合测试的温度分布,最终拟合提取薄膜的热导率。