在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理
描述了切割半导体晶片的方法及设备,每一晶片具有多个集成电路。在示例中,切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模,该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基板载体具有背侧。该方法也涉及在等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑基板载体的背侧的至少一部分。该方法也涉及冷却基板载体的基本上全部的背侧,该冷却涉及由夹盘冷却基板载体的背侧的至少第一部分。该方法也涉及在执行冷却基板载体的基本上全部的背侧的同时经由划道等离子体蚀刻基板以切单集成电路。
2020-06-16 00:00:00
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