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实用新型:一种高导热、防静电正装LED芯片

[公开日期] 2012-11-07 [公开号] CN202523768U
#包建敏 #包绍林 #包建敏
本实用新型公开了一种高导热、防静电正装LED芯片,包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层,所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层,类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底,不但具有较高的导热性,而且还具有较好的防静电性能,有效提高了LED的热管理,保证了LED的光效和使用寿命。另外,也能够简化其制作工艺,取消了原有蓝宝石衬底所需的磨片、划片等工艺。

一种高导热、防静电正装LED芯片,包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层,其特征在于:所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层,类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。
附件:一种高导热、防静电正装LED芯片 免费下载

类型:实用新型
发明人:包绍林,包建敏
专利权人:包建敏
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