#德克萨斯仪器股份有限公司
#A·维诺戈帕
#M·丹尼森
#L·哥伦布
#H
本发明涉及用于热管理的背侧散热器的集成。一种微电子器件(100)包括半导体器件(102),其中,在该半导体器件(102)的前表面(104)处具有组件(108)并且在该半导体器件(102)的后表面(106)上具有背侧散热器层(110)。该背侧散热器层(110)的厚度为100纳米至3微米,具有至少150瓦特 (米·开尔文)的层内导热系数、以及小于100微欧姆厘米的电阻率。
1.一种形成微电子器件的方法,包括以下步骤:为所述微电子器件的半导体器件提供器件衬底,所述器件衬底具有前表面和后表面;在所述前表面处形成组件;在所述后表面上形成粘合层,所述粘合层包括钛、钛钨或镍;以及在所述粘合层上形成散热器材料以形成背侧散热器层,所述散热器材料的厚度为100纳米至3微米、具有至少150瓦特/米·开尔文的层内导热系数以及小于100微欧姆厘米的电阻率,其中,形成所述散热器材料包括使用甲烷和氢气以形成石墨层的等离子体增强式化学气相沉积即PECVD工艺。
附件:用于热管理的背侧散热器的集成
免费下载
类型:发明授权
发明人:A·维诺戈帕,M·丹尼森,L·哥伦布,H
专利权人:德克萨斯仪器股份有限公司
版权与免责声明:
①请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
②来源第三方的信息,本网发布的目的在于分享交流,不做商业用途,亦不保证或承诺内容真实性等。如有侵权,请及时联系本网删除。联系方式:7391142@qq.com
①请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
②来源第三方的信息,本网发布的目的在于分享交流,不做商业用途,亦不保证或承诺内容真实性等。如有侵权,请及时联系本网删除。联系方式:7391142@qq.com