能对5G和6G信号的功率进行放大的晶体管,散热是一大难题。传统做法是将散热器粘合到整个芯片背面,效果很难有大的改进。
能否在不牺牲电气性能的情况下,在上述类型晶体管的材料层面上就可实现设备冷却?斯坦福大学电气工程系教授Srabanti Chowdhury介绍了其团队在这方面的最新研究成果——用一层导热金刚石包裹单个晶体管能解决散热难题,保持设备一直处于正常的工作温度范围之内,使它们能够在更高的频率下提供更大的功率输出。
她表示/评价这是一个“很有前途”的解决方案,将于12月在年度IEEE国际电子设备会议上进行报告和展示。
Srabanti Chowdhury称,下一步将把这项技术从实验室转移到工业领域。修改现有晶体管的工艺以添加新的层并不容易,必须通过可靠性测试和高产量工程。其团队正在与几个行业合作伙伴就解决这些问题进行合作。
此外,这种解决方案目前适用于采用氮化镓材料的晶体管/芯片,如下图所示,该团队的工程师们实现了在氮化镓晶体管周围生长出金刚石晶体,以从源头吸走热量。Srabanti Chowdhury说,5G和未来的6G极其依赖于氮化镓,当5G和6G设备的体积越来越小时,每单位面积内就会有更多的热量产生出来,需要用创新的方案来应对高温。
雷神公司高级首席系统工程师ike Burkland表示看到这个解决方案后感到很兴奋。
来源:未知
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