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#II-VI有限公司
#W-Q·许
#C·刘
#埃尔金·E·伊斯勒
在金刚石膜、基材或窗的形成方法中,提供一种硅基材,并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比,其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。
一种金刚石膜、基材或窗,包括：至少一个光学精加工表面；并且所述金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以所述金刚石膜、基材或窗的厚度所得的长径比≥100。
附件：高长径比的光学精加工薄金刚石基材或窗及其制造方法
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类型：发明公开
发明人：W-Q·许,C·刘,埃尔金·E·伊斯勒,
专利权人：II-VI有限公司
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