本公开涉及集成电路芯片的基于金刚石的散热基板。所公开的技术一般涉及集成电路(IC)封装,更具体地涉及包括穿孔基于金刚石的散热基板的集成电路封装。在一个方面中,用于IC芯片的散热基板被配置为附接到IC芯片并从其散热。基于金刚石的散热基板可具有导电表面和穿过其中的通孔阵列。通孔中的至少一个被配置为当附接到基于金刚石的散热基板时与IC芯片的边缘重叠。
本公开涉及多指FET中的热管理。本公开通过提供多栅指FET布置而在多栅指场效应晶体管(FET)中解决热问题,其中多个栅指之间的相应距离沿着器件被调制,使得在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间的距离大于在器件的边缘或朝向器件的边缘的栅指之间的距离。通过在位于在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间设置更大的距离,然后获得改进的热管理性能,并且器件作为整体保持比其他情况更冷,这是与器件寿命相关的改进。
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