基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法

本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法,包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定厚度的半导体薄膜材料热导率精确表征问题,提升了测试精度和降低了测试成本,满足半导体器件对厚度在百纳米到十微米之间薄膜材料热性能的研究需求,对提升器件热管理的技术开发有极大的指导意义。