本发明公开了一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片,利用深紫外光能透过石英玻璃的特性,让石英玻璃单面出光,另一平面上则生长深紫外GaN的LED结构层,芯片上的正电极P与负电极N,用来传热散热,进出电流及焊接热沉,石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片的诞生为后续产品的封装,可省掉导线架、打线、封胶等工艺,用石英玻璃做芯片透镜既保护了外延层,又提升了抗静电能力,对降氧化,延长器件的寿命都起了重要作用,采用上述倒装技术方案后,可有效提高LED芯片的热管理,且芯片可通大电流,可杜绝因金线虚焊或接触不良所引起的闪烁,解决了深紫外LED芯片的散热难,功率小,寿命短,光衰大的难题。
本实用新型公开了一种高导热、防静电正装LED芯片,包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层,所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层,类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底,不但具有较高的导热性,而且还具有较好的防静电性能,有效提高了LED的热管理,保证了LED的光效和使用寿命。另外,也能够简化其制作工艺,取消了原有蓝宝石衬底所需的磨片、划片等工艺。
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