本发明涉及微电子封装与热管理计算领域,公开了一种TSV转接板等效热导率预测方法及系统,为解决3D集成封装芯片热管理问题提供基础支持。该方法包括：构建考虑有介电层的TSV转接板垂直方向上的二维等效模型；根据组分在模型中的体积占比不变的原则,分别计算TSV孔中填充物及介电层在垂直方向二维等效模型中的等效参数；根据所述二维等效模型中的等效参数及硅、介电层及填充物的热导率仿真得出与垂直方向热流相垂直的两平行截面之间的平均温度差；根据所述平均温度差、两平行截面的距离及热流参数计算得出TSV转接板垂直方向的等效热导率。
本发明涉及一种双层钛铝 铝硅复合材料及其制备方法和应用；属于电子封装材料制备技术领域。本发明所述钛铝 铝硅复合材料包括钛铝合金层、铝硅合金层以及位于钛铝合金层与铝硅合金层之间的过渡层。其制备方法为首先在高温高压下由铝粉和钛粉粉末烧结制成钛铝合金基材,然后在较低的温度和较高的压力下,再将预先混合好的铝粉和硅粉,与已烧结成型的钛铝基材放置在模具内进行第二次烧结,得到双层复合结构的钛铝 铝硅电子封装材料坯料。然后经真空扩散退火,得到钛铝 铝硅复合材料。本发明具有工艺流程短、工艺参数容易控制等优势,所制备的钛铝 铝硅复合材料由于各项性能优越,尤其是界面结合性能良好,可以用作电子封装材料。
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